Общие характеристики
Буферизованная (Registered) нет
Напряжение питания 1.2 В
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Объем модуля, Гб 8
Поддержка ECC нет
Пропускная способность 21300 МБ/с
Тактовая частота, Мгц 2666
Тип памяти DDR4
Форм-фактор DIMM 288-контактный
Тайминги
CAS Latency (CL) 19
RAS to CAS Delay (tRCD) 19
Row Precharge Delay (tRP) 19