(R538G1601S2S-UO)
Общие характеристики
Буферизованная (Registered) нет
Количество контактов 204
Количество модулей в комплекте 1
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Объем модуля, Гб 8
Поддержка ECC нет
Пропускная способность, Мб/с 12800
Радиатор нет
Тактовая частота MHz 1600
Тип DDR3
Форм-фактор SODIMM
Тайминги
CAS Latency (CL) 10
RAS to CAS Delay (tRCD) 10
Row Precharge Delay (tRP) 10
Дополнительно
Количество ранков 4
Напряжение питания, В 1,5
Упаковка чипов двусторонняя